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中国科学院下属中国科学技术大学的科研团队，与美国麻省理工学院、上海交通大学等机构合作，近日在《自然》杂志发表了一项里程碑式研究：他们首次实验证明，通过精心设计的“真空”环境——一种特殊太赫兹暗腔——可以放大量子涨落，从而将超薄二硒化铌（NbSe₂）超导体的临界温度提高5.4%。这一发现颠覆了真空只是“被动舞台”的传统认知，开创了利用工程化真空非接触调控量子材料的新范式。
综艺预告真空并非真正“空”：量子涨落的真实存在
在经典物理观念中，真空是绝对的空无一物。但量子电动力学与海森堡不确定性原理揭示，即使在最低能量态下，真空也充满不断产生与湮灭的虚粒子——即量子涨落。这些涨落虽无法直接观测，却通过兰姆移位、自发辐射和卡西米尔效应等早已被实验证实。据《自然》报道，曾长根教授与程光辉教授团队过去数年一直探索这些涨落如何影响凝聚态系统。2026年8月，他们曾在《科学》子刊上展示，利用磁场可逆地切换卡西米尔力的吸引与排斥，直接操控了量子涨落。
综艺剪辑从“被动背景”到“主动演员”：暗腔放大真空涨落
“自由空间中的真空涨落通常太弱，无法对宏观凝聚态系统产生可观测效应。”项目负责人曾长根教授对ScienceDaily表示，“为克服这一限制，我们引入了太赫兹分裂环谐振器。这种暗腔可以重塑电磁环境，大幅放大真空涨落。”研究团队将六层超薄NbSe₂置于直径约百微米的金属分裂环谐振器内，形成一个耦合系统。对照组则让同一材料处于普通真空腔中。实验结果显示，处于暗腔中的NbSe₂超导临界温度明显升高，同时临界电流和临界磁场也显著增强。
综艺爆笑| 实验条件对比 | 普通真空环境 | 太赫兹暗腔环境 | 提升幅度 |
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| 超导临界温度 (Tc) | 基准值100% | 提升至105.4% | +5.4% |
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| 临界电流 (Ic) 近Tc处 | 基准值 | 显著增强 | 未披露具体数值但定性提升 |
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| 临界磁场 (Hc) 近Tc处 | 基准值 | 显著增强 | 未披露具体数值但定性提升 |
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团队还进行了一系列严谨的对照实验：改变腔体几何、特征频率、材料厚度、介电层及金属条带。结果排除了应变、材料退化、不均匀性和金属屏蔽效应等常规解释。“增强效应在某个特定频率出现共振峰，而非平滑变化，这强有力地证明了超导态与暗腔模式之间存在耦合。”曾长根补充道。
热剧推荐虚拟光子交换：超导增强的理论机制
上海交通大学的蒋庆东教授团队与诺贝尔奖得主弗兰克·维尔切克教授合作，基于金茨堡-朗道框架构建了理论模型。他们提出：超导态通过交换虚光子与暗腔产生相互作用，从而降低了超导态的能量，使其更稳定。“当腔模的特征能量与低能超导涨落匹配时，NbSe₂器件出现共振增强，产生超导增强的尖峰。”蒋庆东教授解释。维尔切克教授则比喻道：“在大多数实用物理中，真空仅充当现象的被动舞台。这项工作表明背景本身可以成为‘演员’——被工程化来增强超导性并重塑量子物质的行为。”
非接触调控：开启“真空电子学”新方向
该方法的革命性在于：它不直接对材料施加能量或外力，仅通过重塑周围真空环境就能增强超导电性。程光辉教授指出：“我们首次实验观测到真空涨落增强超导性，临界温度最高提升5.4%。”这意味着未来可能通过优化腔体结构和材料体系，实现更显著、更普适的量子态控制。研究团队将其命名为“真空电子学”（Vacuumronics）——利用工程化真空环境调控电子和光子行为。
实验细节与数据可靠性
所有实验数据均来自2026年9月30日在线发表于《自然》的论文（DOI: 10.1038/s41586-026-11037-x）。第一作者包括中国科学技术大学王哲彦、Gabriel Cardoso等人。研究获国家自然科学基金等资助。值得注意的是，2026年8月ScienceDaily另一篇报道曾提及磁星的强磁场可能揭示了“空空间”改变光的量子效应，与本工作形成互补。
FAQ：关于真空涨落增强超导性的常见问题
Q1: 这个实验真的能改变我们对真空的理解吗？
A1: 是的。此前真空量子涨落虽已被多种现象间接验证，但从未有人利用其来主动增强一种宏观量子态（超导性）。该工作证明真空可以不再是“被动背景”，而是可工程化的主动媒介。
Q2: 这种技术距离实用化还有多远？
A2: 目前仅在极薄（六层原子）的NbSe₂薄膜上实现5.4%提升，且需极低温环境。但原理验证已成功，若优化腔体设计并探索更多材料体系，未来可能用于无接触调控量子计算机中的超导电路或提高能源传输效率。
结尾段：从“空无一物”的真空到“无所不能”的调控工具，真空涨落增强超导性的发现不仅挑战了经典直觉，更为量子材料研究开辟了全新维度。随着“真空电子学”的推进，或许不久后，我们将能借助精心设计的“空空间”来设计更强、更稳定的超导体，为能源、通信和量子计算带来革命性变革。
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中国科学技术大学联合MIT等机构实验证明，太赫兹暗腔放大的真空量子涨落可将NbSe₂超导临界温度提高5.4%。非接触调控开辟“真空电子学”新方向，为未来量子材料工程提供全新思路。
